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stm32FLASH
- stm32f103处理器的flash初始化，对外部flash的读写、擦除灯操作-stm32f103 processor flash initialization, external flash read and write, erase lamp operation
OFlaash_Erasen
- 对FLASH对擦除程序源码，上传给大家相相互学习，我用过，能实现功能 可直接使用。 -The FLASH erase program source code, upload for everyone to learn from each other, I used functions can be used directly.
FlashPrinciple
- Flash存储器简介、编程以及擦除原理的详细介绍-Flash memory programming and erase the principle
LM3SLib_Flash
- 在St e ll a ri s 系列不同型号里带有8 ～256KB的Flash存储器（后续型号容量可能更大）。单片机教程网：http://www.ipbb.cn Flash用于存储代码和固定数表，正常情况下只能用于执行程序，而不能直接修改存储的内 容。但是，片内集成的Flash控制器提供了一个友好的用户接口，使得Flash存储器可以在 应用程序的控制下进行擦除、编程等操作。在Flash存储器中还可以应用保护机制，防止Flas h 内容被修改或读出。 1 ． Flash存储器
dsp_flash_AM29LV800BT
- 实现对flash:AM29LV800BT的读写以及擦除等操作，采用ti 55xx系列编写-Achieve In flash: AM29LV800BT of operations such as read, write, and erase using written ti 55xx series
NANDPFlash-controller
- nand flash控制器的设计与验证文档，里面有读写擦除具体的控制步骤，还有在FPGA下的验证。-nand flash controller design and verification of documents, which read and write to erase specific control steps, as well as the FPGA verification.
k9f28xxu0c-Chinese-data-Manual
- k9f28xxu0c中文数据手册 16M 8 位8M 16 位NAND Flash 存储器K9F28XXU0C 概述 K9F28XXU0C 是一个含有4M 位备用容量的128M 位Flash 存储器提供16M 8 位或8M 16 位两种 结构它的Vcc 为3.3V 其NAND 单元为固态海量存储器市场提供了最低成本的方案528 字节8 器 件或264 字16 器件的页编程操作时间为200us 16K 字节8 器件或8K 字16 器件的块 擦除操作时间为2ms 页面的数据以
bootloader
- NEC自升级，为了对flash存储器编程，78K0/Kx2 MCU需要执行位于隐藏ROM中的代码。可以调用这些隐藏的函数来检查没有使用的区域（空白检查），对MCU内任何可用的存储单元擦除或写代码，为了实现该功能，应用程序中必需包含能够访问这些隐藏固件的代码，因此为了能够自编程必需预先对MCU的flash写入这些代码。-NEC since upgraded to the flash memory programming, 78K0/Kx2 MCU located in a hidden code
C6416_FLASH
- 本程序运行在C6416开发板上，实现对FLASH的擦除／写入操作，以及其在存储空间中的映射。-The program running on the the C6416 development board to achieve the FLASH erase/write operation, as well as storage space mapping.
SST25VF080B
- flash 的spi驱动，具有读、写，擦除、块擦除等功能。经测试完全可以。-flash spi driver。
spi_flash
- 基于STM32的SPI通信协议，利用SPI总线使主机与FLASH通信，实现读取、写入、擦除等功能。包括库文件和其他配置文件。-STM32-based SPI communication protocol using the SPI bus host with FLASH communications to achieve read, write, erase and other functions. Including library files and other configuration
14.nand
- NAND Flash的读写擦除 S5PV210的NAND Flash控制器有如下特点： 1) 支持512byte,2k,4k,8k的页大小 2) 通过各种软件模式来进行NAND Flash的读写擦除等 3) 8bit的总线 4) 支持SLC和MCL的NAND Flash 5) 支持1/4/8/12/16bit的ECC 6) 支持以字节/半字/字为单位访问数据/ECC寄存器，以字为单位访问其他寄存器。 注意：在此使用的Mini210S的NAND Flash类型为SL
erase
- TI54X 擦除FLASH代码-TI54X erase FLASH code -TI54X erase FLASH code
C6455_flash
- 该程序详细介绍了DSP6455擦除FLASH和向FALSH写的过程，向FLASh写分了几种情况-The procedure described in detail DSP6455 erase FLASH and the process of writing to FALSH to FLASh wrote several cases of
Save
- 针对STM32F10x系列设计的内部FLASH数据保存模块 相对循环页擦除算法，采用更简洁的单页无限擦除算法，当该页擦坏(10W次)自动跳转到下一页使用，在系统规划时只要设置一定数量的保留页，可满足常规产品使用寿命的设计要求。 功能与稳定性已经过商用项目验证。-Relative page erase cycle algorithm, using more concise one-page infinite erase algorithms, when the page chafe
Internal_Flash
- 基于STM32f107 操作内部闪存的demo代码，实现读、写、以及擦除功能，通过串口1 与PC链接，通过串口调试助手测试-Based on internal flash demo STM32f107 operation code, read, write, and erase functions with the PC via the serial port a link through the serial debugging assistant test
STM8S-JiShuShouCe_V4
- STM8S参考手册V4 本参考手册为应用开发人员提供了关于如何使用STM8S微控制器的存储器和外设的完整信息。 STM8S是一个拥有不同存储器大小，封装和外设的微控制器家族。 ■ STM8S针对通用应用而设计，关于订货信息，引脚描述，器件的机械及电气参数，请参考 STM8S增强型及基本型数据手册。 ■ 关于内部 FLASH存储器的编程，擦除和保护，请参考STM8S Flash编程手册(PM0051 ) 和 STM8 SWIM 通讯协议及调试模块用户手册(UM047
C8051F310-In-System-Programming
- 用单片机，有些数据设置后需要掉电不丢失，一般首先想到的是使用eeprom，比如AVR中的Atmega系列有内部eeprom，也可以外接AT24C01之类的eeprom。这里介绍另外一种参数保存方法，Silicon Laboratories的C8051F系列，其内部程序存储区Flash可以在系统编程，功能类似于eeprom，掉电不丢失。 C8051F310内部有16K的在系统可编程Flash，地址从0x0000到0x3dff，以512字节作为一个扇区，这意味着每次擦除的时候，是对整个扇区
VMD642_flash
- FLASH 测试 VMD642 开发板上的 flash 芯片为 Spansion 本例程在 VMD642_flash 目录中。 FLASH 的测试主要包括 FLASH 的擦除和读/写操作，以及其在存储空间中的映射是否 正确。 首先配置 EMIF，使得 FLASH的 8 个 512K空间映射到 DM642的存储空间中。 擦除 FLASH 的 8 个页面。 VMD642_rset(VMD642_FLASHPAGE, page) 设置当前页面。 在 VM
msp430g2xx3_flashwrite_01
- 这个程序首先擦除闪存赛格C,那么它的增量中所有的值,然后抹去segC D,然后拷贝segC,D。-This program first erases flash seg C, then it increments all values in seg C, then it erases seg D, then copies seg C to seg D.